Corrientes de espín para los futuros dispositivos electrónicos de grafeno

Investigadores del Instituto Catalán de Nanociencia y Nanotecnología (ICN2) han demostrado que se pueden generar y manipular corrientes de espín, una propiedad de las partículas elementales, en heteroestructuras basadas en grafeno. El avance, logrado a temperatura ambiente, abre la puerta al desarrollo de nuevos dispositivos electrónicos y memorias magnéticas ultracompactas de bajo consumo.
Fuente: Agencia SINC – Tecnología
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